Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страница 1385 (Mi phts6684)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

NANOSTRUCTURES : PHYSICS AND TECHNOLOGY 28th International Symposium (Minsk, Republic of Belarus, September, 2020)
Graphene

On the origin of photocurrents in pristine graphene

Yu. B. Vasilyev

Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
Аннотация: Recently Ma et al. (Nature Nanotech., 14, 145, 2019) reported an intrinsic photocurrent in graphene, which occurs as the authors believe “in a different parameter regime from all the previously observed photothermoelectric or photovoltaic photocurrents in graphene”. Here we present an alternative – obvious and transparent explanation of such experiments. We demonstrate that the photo effect occurs in the $p$$n$ junctions formed in graphene samples containing two regions of different widths with different particle concentrations. This difference in concentration for various sample widths is found to result from edge doping of samples.
Ключевые слова: graphene, photocurrents, $p$$n$ junctions.
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 12, Pages 1664–1665
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620120416
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Yu. B. Vasilyev, “On the origin of photocurrents in pristine graphene”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1385; Semiconductors, 54:12 (2020), 1664–1665
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Vas20}
\by Yu.~B.~Vasilyev
\paper On the origin of photocurrents in pristine graphene
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1385
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6684}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1664--1665
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620120416}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6684
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1385
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025