Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страница 1386 (Mi phts6685)  

NANOSTRUCTURES : PHYSICS AND TECHNOLOGY 28th International Symposium (Minsk, Republic of Belarus, September, 2020)
Graphene

Magnetic properties of the electrons in MoS$_2$ monolayer

V. V. Karpunina, V. A. Margulisb

a Evseviev Mordovian State Pedagogical University, 430007 Saransk, Russia
b Ogarev Mordovian State University, 430005 Saransk, Russia
Аннотация: The magnetic moment of the molybdenum disulfide monolayer (MoS$_2$) is calculated in the presence of a perpendicular magnetic field $\mathbf{B}$. The field $\mathbf{B}$ leads to a significant increase in the spin splitting in the conduction band, which is reflected in the expression of the magnetic moment. The oscillatory character of the magnetic moment dependences on the magnetic field is investigated.
Ключевые слова: magnetic moment, MoS$_2$ monolayer.
Поступила в редакцию: 23.06.2020
Исправленный вариант: 23.07.2020
Принята в печать: 27.07.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 12, Pages 1666–1669
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262012012X
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: V. V. Karpunin, V. A. Margulis, “Magnetic properties of the electrons in MoS$_2$ monolayer”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1386; Semiconductors, 54:12 (2020), 1666–1669
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KarMar20}
\by V.~V.~Karpunin, V.~A.~Margulis
\paper Magnetic properties of the electrons in MoS$_2$ monolayer
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1386
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6685}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1666--1669
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262012012X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6685
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1386
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025