Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2024, том 58, выпуск 1, страницы 42–48
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2024.01.57634.5766 (Mi phts6715) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Динамика лазерной генерации микролинеек одномодовых полупроводниковых лазеров (1065 нм), работающих в режиме модуляции усиления

А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, А. Э. Ризаев, В. А. Крючков, А. Е. Гришин, Н. А. Пихтин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (364 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2024.01.57634.5766
Аннотация: Исследованы излучатели в виде микролинеек оптически изолированных одномодовых лазеров на основе гетероструктуры с двойной асимметрией, работающие в условиях накачки субнаносекундными импульсами тока. Для микролинеек с различной плотностью заполнения излучающей апертуры продемонстрирован эффект разброса времени задержки включения различных полосков, при этом максимальная разница достигала 50 пс. В режиме модуляции усиления разработанные конструкции микролинеек позволили получать устойчивую генерацию на нулевой моде. При накачке токовыми импульсами длительностью 0.4 нс для микролинейки из 10 излучателей шириной по 6 мкм и периодом 20 мкм продемонстрирована возможность генерации импульсов пиковой мощностью 3 Вт и длительностью 140 пс.
Ключевые слова: полупроводниковый лазер, лазерная линейка, модуляция усиления.
Поступила в редакцию: 17.11.2023
Исправленный вариант: 11.01.2024
Принята в печать: 31.01.2024
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2024, Volume 58, Issue 2, Pages 163–169
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262402012X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, А. Э. Ризаев, В. А. Крючков, А. Е. Гришин, Н. А. Пихтин, “Динамика лазерной генерации микролинеек одномодовых полупроводниковых лазеров (1065 нм), работающих в режиме модуляции усиления”, Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024), 42–48; Semiconductors, 58:2 (2024), 163–169
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PodShuRiz24}
\by А.~А.~Подоскин, И.~В.~Шушканов, А.~Э.~Ризаев, В.~А.~Крючков, А.~Е.~Гришин, Н.~А.~Пихтин
\paper Динамика лазерной генерации микролинеек одномодовых полупроводниковых лазеров (1065 нм), работающих в режиме модуляции усиления
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2024
\vol 58
\issue 1
\pages 42--48
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6715}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=67211216}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2024
\vol 58
\issue 2
\pages 163--169
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262402012X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6715
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v58/i1/p42
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025