Влияние протонного и электронного облучения на параметры нитрид-галлиевых диодов Шоттки

Определены скорости удаления электронов при протонном и электронном облучении GaN $n$-типа, выращенного методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Облучение производилось протонами с энергией 15 МэВ в диапазоне флюенсов 0 $\le\Phi_p\le$ 5 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$; диапазон флюенсов при облучении электронами с энергией 0.9 МэВ составлял 0 $\le\Phi_n\le$ 5 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-2}$. Установленное значение скорости удаления при протонном облучении, $\eta_p\approx$140 см$^{-1}$, близко к нижней границе известных в настоящее время величин $\eta_p$ и свидетельствует о достаточно высоком уровне радиационной стойкости исследованного материала по отношению к протонному облучению. Скорость удаления носителей под влиянием электронного облучения $\eta_e$ составляет $\approx$0.47 см$^{-1}$ и соответствует типичным значениям $\eta_e$, характерным для нитрида галлия $n$-типа, полученного различными методами.