Электрохимическое профилирование структур $n^+/n$ GaAs для полевых транзисторов

Показано, что при использовании стандартного рецепта электрохимического профилирования, в котором применяется интенсивное освещение галогеновой лампой мощностью до 250 Вт $n^+/n$ GaAs-структуры для генерации необходимых для травления дырок, при использовании электролита этилендиаминуксусной кислоты получаемый профиль распределения электронов отличается от задаваемого во время роста для концентрации электронов в $n^+$-слое $>$ 4 $\cdot$ 10$^{18}$ см$^{-3}$. Такое отличие связано с появлением и развитием ямок травления, обусловленных увеличением степени дефектности слоев GaAs при возрастании концентрации донорной примеси – кремния. Для получения адекватных профилей распределения электронов в $n^+/n$ GaAs-структурах необходимо ограничивать освещение до 25 Вт.