Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур

Влияние протонного облучения (энергия протонов 15 МэВ) на параметры высоковольтных 4$H$-SiC интегрированных (JBS) диодов Шоттки впервые исследовано в диапазоне рабочих температур $T_i$ (23 и 175$^\circ$С). Блокирующее напряжение исследованных диодов, $U_b$ составляло 600 и 1700 В. Для приборов c $U_b$ = 600 В диапазон флюенсов $\Phi$ составлял 5$\cdot$10$^{13}$–1$\cdot$10$^{14}$см$^{-2}$; для приборов c $U_b$ = 1700 В величина $\Phi$ составила и 3$\cdot$10$^{13}$–6$\cdot$10$^{13}$см$^{-2}$. Увеличение температуры облучения приводит к заметному уменьшению влияния облучения на вольт-амперные характеристики диодов. Исследовано влияние отжига на вольт-амперные характеристики облученных приборов.