Влияние ионной очистки поверхности излучающего скола 9хх нм лазерных диодов на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs на их предельную мощность излучения

Сообщается об исследовании влияния ионной очистки поверхности излучающего скола 9хх нм лазерных диодов на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs на их предельную мощность излучения. Был проведен анализ измерений предельной мощности и процент лазерных диодов, имеющих визуальные проявления оптической катастрофической деградации в активной области. Обнаружено, что кратковременная (1 мин) низкоэнергетичная обработка ионами аргона и водорода не приводит к изменению параметров лазерных диодов, в то время как обработка ионами азота приводит к снижению предельной мощности и увеличению вероятности появления оптической катастрофической деградации. Также показано, что использование ионного источника на основе электронно-циклотронного резонанса приводит к лучшим результатам, по сравнению с источником холловского типа или радиочастотным источником с индуктивно-связанной плазмой, за счет меньшей энергии ионов.