Молекулярно-лучевая эпитаксия твердого раствора GaP$_x$As$_{1-x}$: феноменологическое описание зависимости $x$ от условий роста на подложке GaAs(001)

С применением феноменологической модели описаны экспериментальные зависимости доли фосфора в твердом растворе GaP$_x$As$_{1-x}$ от условий его выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs(001) из потоков молекул As$_2$ и P$_2$. Модель построена на основе устоявшихся представлений о процессе молекулярно-лучевой эпитаксии соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$. Отношение коэффициентов встраивания атомов мышьяка и фосфора рассматривалось как функция температуры подложки, плотности потоков молекул V группы и атомов Ga. Найдены эмпирические выражения, описывающие поведение отношения коэффициентов встраивания мышьяка и фосфора в зависимости от указанных параметров роста. Выражения позволяют оценивать величины потоков молекул V группы, обеспечивающие получение слоев GaP$_x$As$_{1-x}$ c требуемым $x$ при заданных значениях температуры подложки и плотности потока атомов Ga.