Геттерирование эпитаксиального арсенида индия редкоземельным элементом гольмием

Приведены результаты исследования гальваномагнитных свойств арсенида индия, выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Показано, что получение эпитаксиальных слоев InAs при использовании редкоземельного элемента Ho позволяет снизить концентрацию электронов на 2 порядка до $n=2.1\cdot10^{15}$ см$^{-3}$ при $T$ = 77 K за счет геттерирования мелких фоновых примесей путем образования их соединений в растворе-расплаве. При увеличении содержания гольмия в жидкой фазе более 0.12 мол% концентрация носителей тока в материале начинает возрастать, при этом наблюдается снижение подвижности, что предположительно связано с влиянием донорных центров $V_{\mathrm{As}}$–Ho. Данный способ геттерирования перспективен для получения материалов A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ с низкой концентрацией носителей тока, востребованных в оптоэлектронной промышленности.