Осцилляции Шубникова–де Гааза в двумерном электронном газе с анизотропной подвижностью

Исследованы осцилляции Шубникова–де Гааза в селективно-легированных одиночных GaAs-квантовых ямах со сверхрешеточными барьерами AlAs/GaAs при температуре $T = 4.2$ K в магнитных полях $B<1$ Тл. В изучаемых высокоподвижных гетероструктурах с тонким спейсером, выращенных при помощи молекулярно-лучевой эпитаксии на (001) GaAs-подложках, подвижности двумерного электронного газа в кристаллографических направлениях $[110]$ и $[\bar110]$ отличаются более чем на $50$%. Для корректного анализа осцилляций Шубникова–де Гааза в образцах с анизотропной подвижностью используется адаптированное для этих целей выражение для амплитуды этих осцилляций. Установлено, что квантовые времена жизни в таких гетероструктурах, измеренные при помощи осцилляций Шубникова–де Гааза на мостиках Холла, ориентированных вдоль направлений $[110]$ и $[\bar110]$, отличаются не более чем на $5$%. Полученные результаты показывают, что квантовое время жизни в двумерной электронной системе с анизотропной подвижностью является изотропным с указанной точностью.