Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 2, страницы 114–119
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2023.02.55332.4178
(Mi phts6843)
 

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Вода – источник электрически активных центров в CdHgTe

Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров, В. С. Варавин

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация: Исследовано влияние водных растворов с различным pН и электрохимической обработки в положении катода на концентрацию носителей заряда в образцах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te. Катодная обработка кадмия-ртути-теллура при малой плотности тока увеличивает концентрацию доноров, а при высокой плотности образуются акцепторы. Предполагается, что гидроксильные группы создают акцепторные центры, встраиваясь в междоузлия кадмия-ртути-теллура. При обработке в течение длительного времени (больше 20 ч) образуются либо акцепторы с концентрацией на уровне 10$^{16}$ см$^{-3}$ (при высокой активности водорода), либо донорные центры с концентрацией 10$^{14}$ см$^{-3}$ (при низкой активности водорода), которые равномерно распределяются по всей толщине пленки кадмий-ртуть-теллур и при дальнейшем увеличении времени обработки их концентрация не изменяется.
Ключевые слова: CdHgTe, электрохимическая обработка, акцепторы, активность водорода.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 242-2022-002
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках государственного задания № 242-2022-002.
Поступила в редакцию: 04.10.2022
Исправленный вариант: 10.01.2023
Принята в печать: 06.03.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров, В. С. Варавин, “Вода – источник электрически активных центров в CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023), 114–119
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SidSidVar23}
\by Ю.~Г.~Сидоров, Г.~Ю.~Сидоров, В.~С.~Варавин
\paper Вода -- источник электрически активных центров в CdHgTe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2023
\vol 57
\issue 2
\pages 114--119
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6843}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2023.02.55332.4178}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=50739382}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6843
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v57/i2/p114
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025