|
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Вода – источник электрически активных центров в CdHgTe
Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров, В. С. Варавин Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Исследовано влияние водных растворов с различным pН и электрохимической обработки в положении катода на концентрацию носителей заряда в образцах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te. Катодная обработка кадмия-ртути-теллура при малой плотности тока увеличивает концентрацию доноров, а при высокой плотности образуются акцепторы. Предполагается, что гидроксильные группы создают акцепторные центры, встраиваясь в междоузлия кадмия-ртути-теллура. При обработке в течение длительного времени (больше 20 ч) образуются либо акцепторы с концентрацией на уровне 10$^{16}$ см$^{-3}$ (при высокой активности водорода), либо донорные центры с концентрацией 10$^{14}$ см$^{-3}$ (при низкой активности водорода), которые равномерно распределяются по всей толщине пленки кадмий-ртуть-теллур и при дальнейшем увеличении времени обработки их концентрация не изменяется.
Ключевые слова:
CdHgTe, электрохимическая обработка, акцепторы, активность водорода.
Поступила в редакцию: 04.10.2022 Исправленный вариант: 10.01.2023 Принята в печать: 06.03.2023
Образец цитирования:
Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров, В. С. Варавин, “Вода – источник электрически активных центров в CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023), 114–119
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6843 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v57/i2/p114
|
|