Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 2, страницы 122–129
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2023.02.55335.3545
(Mi phts6846)
 

Физика полупроводниковых приборов

Определение механизмов протекания тока в структурах из двух слоев диэлектриков

С. В. Булярскийa, В. С. Беловab, Г. Г. Гусаровa, А. В. Лакалинa, К. И. Литвиноваa, А. П. Орловa

a Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, 119991 Москва, Россия
b Национальный исследовательский университет "МИЭТ", 124498 Москва, Зеленоград, Россия
Аннотация: Диоды металл-диэлектрик 1-диэлектрик 2-металл являются перспективными для использования в устройствах в паре с антеннами – ректеннах. Для создания диодов с требуемыми для работы характеристиками необходимо понимать механизмы переноса тока в обоих диэлектриках и их контактах с металлами. Для решения этой задачи нужно разработать алгоритм разделения общей вольт-амперной характеристики на характеристики отдельных контактов, анализ которых также позволит исследовать проблемы свойств дефектов в диэлектриках, из которых состоит диод. В данной работе представлено решение перечисленных выше задач на примере диода Al-Al$_2$O$_3$-Ta$_2$O$_5$-Ni. Авторы показали, как можно разделить вольт-амперную характеристику на составляющие, вычислить потенциальные барьеры на границах металлов с контактирующими диэлектриками, определить концентрацию и энергетические характеристики дефектов структуры в диэлектриках.
Ключевые слова: диоды металл-диэлектрик-металл, вольт-амперные характеристики, эффект Пула–Френкеля, токи термоэлектронной и термополевой эмиссии, токи, ограниченные пространственным зарядом.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 0004-2022-0004
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, проект № 0004-2022-0004.
Поступила в редакцию: 18.04.2022
Исправленный вариант: 10.03.2023
Принята в печать: 10.03.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Булярский, В. С. Белов, Г. Г. Гусаров, А. В. Лакалин, К. И. Литвинова, А. П. Орлов, “Определение механизмов протекания тока в структурах из двух слоев диэлектриков”, Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023), 122–129
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BulBelGus23}
\by С.~В.~Булярский, В.~С.~Белов, Г.~Г.~Гусаров, А.~В.~Лакалин, К.~И.~Литвинова, А.~П.~Орлов
\paper Определение механизмов протекания тока в структурах из двух слоев диэлектриков
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2023
\vol 57
\issue 2
\pages 122--129
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6846}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2023.02.55335.3545}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=50739383}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6846
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v57/i2/p122
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:75
    PDF полного текста:37
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026