Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 5, страницы 327–331
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2023.05.56198.18k
(Mi phts6877)
 

XXVII Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 13 - 16 марта 2023г.

Оптическое возбуждение спин-триплетных состояний двухэлектронных доноров в кремнии

В. В. Цыпленков, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин

Институт физики микроструктур Российской академии наук – филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова–Грехова Российской академии наук", 603087 д. Афонино, Нижегородская обл., Кстовский район, Россия
Аннотация: Предлагается способ резонансного оптического возбуждения ортосостояний двухэлектронных доноров в кремнии, прямые переходы в которые из основного состояния при слабой спин-орбитальной связи крайне подавлены. Возбуждение предлагается осуществлять, используя точки антипересечения орто- и парасостояний в условиях одноосного сжатия кристалла, в которых состояния нельзя однозначно отнести ни к одной группе состояний с определенным спином, вследствие чего оптический переход становится разрешенным. Структура энергетических уровней двухэлектронных примесей такова, что возбуждения такого состояния практически однозначно ведут к заселению нижележащего состояния ортотипа, которое, как ожидается, является сильно долгоживущим в случае слабой спин-орбитальной связи. В настоящей работе проводятся теоретические оценки сечений оптических переходов в окрестности точки антипересечения уровней в зависимости от деформации при сильной и слабой спин-орбитальной связи.
Ключевые слова: двухэлектронные доноры, пара- и ортосостояния, оптические переходы, спин-орбитальное взаимодействие.
Поступила в редакцию: 05.05.2023
Исправленный вариант: 29.06.2023
Принята в печать: 06.07.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Цыпленков, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин, “Оптическое возбуждение спин-триплетных состояний двухэлектронных доноров в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023), 327–331
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TsyZhuSha23}
\by В.~В.~Цыпленков, Р.~Х.~Жукавин, В.~Н.~Шастин
\paper Оптическое возбуждение спин-триплетных состояний двухэлектронных доноров в кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2023
\vol 57
\issue 5
\pages 327--331
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6877}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2023.05.56198.18k}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=55811594}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6877
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v57/i5/p327
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025