Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 5, страницы 332–337
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2023.05.56199.26k (Mi phts6878) 		 
XXVII Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 13 - 16 марта 2023г.

Формирование наноостровков InAs на поверхности кремния и гетероструктур на их основе

И. В. Илькивab, В. В. Лендяшоваac, Б. Б. Бородинc, В. Г. Талалаевd, Т. М. Шугабаевa, Р. Р. Резникb, Г. Э. Цырлинabe

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
d Martin Luther University Halle-Wittenberg, 06108 Halle, Germany
e Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (460 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2023.05.56199.26k
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследований по формированию InAs-островков на поверхности кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Установлено, что в зависимости от рельефа Si поверхности и наличия наноямок могут формироваться InAs-островки как с бимодальным, так и однородным распределением по размерам. С помощью двухстадийного заращивания кремнием показана возможность создания гетероструктур с внедренными в кремний InAs-квантовыми точками, демонстрирующих фотолюминесценцию в области 1.65 мкм.
Ключевые слова: квантовые точки, молекулярно-пучковая эпитаксия, полупроводники, кремний, гетероструктуры.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 0791-2023-0004
FSER-2020-0013
Санкт-Петербургский государственный университет 94033852
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (0791-2023-0004). Оптические измерения выполнены в рамках исследовательского гранта СПбГУ № 94033852. Исследование морфологии InAs-островков при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, проект тематики научных исследований № 2019-1442 (код научной темы FSER-2020-0013).
Поступила в редакцию: 05.05.2023
Исправленный вариант: 29.06.2023
Принята в печать: 06.07.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Илькив, В. В. Лендяшова, Б. Б. Бородин, В. Г. Талалаев, Т. М. Шугабаев, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, “Формирование наноостровков InAs на поверхности кремния и гетероструктур на их основе”, Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023), 332–337
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IlkLenBor23}
\by И.~В.~Илькив, В.~В.~Лендяшова, Б.~Б.~Бородин, В.~Г.~Талалаев, Т.~М.~Шугабаев, Р.~Р.~Резник, Г.~Э.~Цырлин
\paper Формирование наноостровков InAs на поверхности кремния и гетероструктур на их основе
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2023
\vol 57
\issue 5
\pages 332--337
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6878}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2023.05.56199.26k}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=55811595}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6878
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v57/i5/p332
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025