Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 5, страницы 343–347
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2023.05.56201.28k (Mi phts6880) 		 
XXVII Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 13 - 16 марта 2023г.

Формирование биосовместимых SiC-нанотрубок “сверху-вниз”

А. Д. Буравлевabcd, А. Н. Казакинe, Ю. А. Нащекинаcf, А. В. Нащекинc, Е. В. Убыйвовкgch, В. А. Астраханцеваa, А. В. Осиповh, Г. В. Святецi, С. А. Кукушкинh

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 Санкт-Петербург, Россия
b Университет при межпарламентской ассамблее ЕврАзЭС, 194044 Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
d Институт аналитического приборостроения РАН, 198095 Санкт-Петербург, Россия
e Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
f Институт цитологии Российской академии наук, 194064 Санкт-Петербург, Россия
g Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 Санкт-Петербург, Россия
h Институт проблем машиноведения РАН, 199178 Санкт-Петербург, Россия
i OOO "Научно-технический центр "Новые технологии", 195027 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (1760 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2023.05.56201.28k
Аннотация: При проведении экспериментов по синтезу слоев карбида кремния на монокристаллических подложках кремния с помощью метода согласованного замещения атомов обнаружено, что образование тонких пленок карбида кремния может сопровождаться формированием массивов нанотрубок карбида кремния произрастающих в глубь кремниевых подложек. Таким образом, впервые обнаружен новый механизм образования карбид-кремниевых нанотрубок – “сверху-вниз”.
Ключевые слова: карбид кремния, нанотрубки, пар-жидкость-кристалл, формирование наноструктур.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации FSEE-2022-0018
FFNF-2021-0001
Работа А.Д. Буравлева и В.А. Астраханцевой поддержана Министерством образования и науки РФ (ГЗ № FSEE-2022-0018). С.А. Кукушкин и А.В. Осипов выполняли свою часть работы в рамках государственного задания ФГУП ИПМаш РАН № FFNF-2021-0001 Министерства науки и высшего образования РФ.
Поступила в редакцию: 05.05.2023
Исправленный вариант: 29.06.2023
Принята в печать: 06.07.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Д. Буравлев, А. Н. Казакин, Ю. А. Нащекина, А. В. Нащекин, Е. В. Убыйвовк, В. А. Астраханцева, А. В. Осипов, Г. В. Святец, С. А. Кукушкин, “Формирование биосовместимых SiC-нанотрубок “сверху-вниз””, Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023), 343–347
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BouKazNas23}
\by А.~Д.~Буравлев, А.~Н.~Казакин, Ю.~А.~Нащекина, А.~В.~Нащекин, Е.~В.~Убыйвовк, В.~А.~Астраханцева, А.~В.~Осипов, Г.~В.~Святец, С.~А.~Кукушкин
\paper Формирование биосовместимых SiC-нанотрубок ``сверху-вниз''
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2023
\vol 57
\issue 5
\pages 343--347
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6880}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2023.05.56201.28k}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=55811606}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6880
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v57/i5/p343
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025