Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 5, страницы 362–368
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2023.05.56204.41k (Mi phts6883) 		 
XXVII Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 13 - 16 марта 2023г.

Разработка одномодового РОС-гетеролазера с выводом излучения под углом к поверхности структуры

В. Р. Барышевa, Е. Д. Егороваa, Н. С. Гинзбургa, Е. Р. Кочаровскаяa, А. М. Малкинa, В. Ю. Заславскийa, С. В. Морозовb, А. С. Сергеевa

a Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук, 603155 Нижний Новгород, Россия
b Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (403 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2023.05.56204.41k
Аннотация: Исследована возможность реализации одномодового гетеролазера с распределенной обратной связью с выводом генерируемого излучения под углом к поверхности структуры. Найден профиль периодической диэлектрической структуры, позволяющий реализовать распределенную обратную связь для волновых потоков, распространяющихся вдоль структуры, и одновременно обеспечить вывод до 70% мощности генерируемого излучения под углом к ее поверхности. В рамках полуклассической квазиоптической модели показана возможность реализации стационарных режимов генерации при конечных латеральных размерах брэгговской решетки.
Ключевые слова: гетеролазер, брэгговские структуры, распределенная обратная связь, вывод излучения.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 0030-2022-0001
Работа поддержана в рамках государственного задания ИПФ РАН по теме № 0030-2022-0001.
Поступила в редакцию: 05.05.2023
Исправленный вариант: 29.06.2023
Принята в печать: 06.07.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Р. Барышев, Е. Д. Егорова, Н. С. Гинзбург, Е. Р. Кочаровская, А. М. Малкин, В. Ю. Заславский, С. В. Морозов, А. С. Сергеев, “Разработка одномодового РОС-гетеролазера с выводом излучения под углом к поверхности структуры”, Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023), 362–368
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BarEgoGin23}
\by В.~Р.~Барышев, Е.~Д.~Егорова, Н.~С.~Гинзбург, Е.~Р.~Кочаровская, А.~М.~Малкин, В.~Ю.~Заславский, С.~В.~Морозов, А.~С.~Сергеев
\paper Разработка одномодового РОС-гетеролазера с выводом излучения под углом к поверхности структуры
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2023
\vol 57
\issue 5
\pages 362--368
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6883}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2023.05.56204.41k}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=55811620}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6883
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v57/i5/p362
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:73
    PDF полного текста:26
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026