Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, выпуск 6, страницы 461–468
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2023.06.56475.43k (Mi phts6900) 		 
XXVII Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 13 - 16 марта 2023г.

Влияние электрического поля на экситоны в квантовой яме при дополнительном оптическом возбуждении

М. А. Чукеевa, Е. С. Храмцовa, Шимин Чжэнa, И. В. Игнатьевa, С. А. Елисеевb, Ю. П. Ефимовb

a Лаборатория Оптики спина имени И.Н. Уральцева, Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Санкт-Петербург, Россия
b Ресурсный центр "Нанофотоника", Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (332 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2023.06.56475.43k
Аннотация: Исследованы спектры отражения гетероструктуры с квантовой ямой GaAs/AlGaAs шириной 30 нм при дополнительном оптическом возбуждении во внешнем электрическом поле. Изучено влияние электрического поля на все параметры резонансов легких и тяжелых экситонов при селективном возбуждении различных оптических переходов. Обнаружен эффект диполь-дипольного взаимодействия экситонов, компенсирующего эффект Штарка при возбуждении в основное экситонное состояние КЯ. Обнаружено резкое увеличение штарковского сдвига экситонов в КЯ при оптическом возбуждении носителей заряда в буферном слое GaAs. Выполнен микроскопический расчет экситонных состояний в различных электрических полях. Сравнение рассчитанного и измеренного штарковского сдвига тяжелого экситона использовано для получения зависимости величины напряженности электрического поля в КЯ от приложенного напряжения.
Ключевые слова: экситон, электрическое поле, квантовая яма, спектр отражения.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-20039
Санкт-Петербургский государственный университет 94030557
China Scholarship Council
Авторы благодарят Российский научный фонд за финансовую поддержку работы в рамках гранта № 19-72-20039. Е.С. Храмцов благодарит Санкт-Петербургский государственный университет за финансовую поддержку теоретической части работы в рамках гранта № 94030557. Шимин Чжэн благодарит Китайский стипендиальный совет (Сhina scholarship council).
Поступила в редакцию: 24.08.2023
Исправленный вариант: 01.09.2023
Принята в печать: 01.09.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Чукеев, Е. С. Храмцов, Шимин Чжэн, И. В. Игнатьев, С. А. Елисеев, Ю. П. Ефимов, “Влияние электрического поля на экситоны в квантовой яме при дополнительном оптическом возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 461–468
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ChuKhrZhe23}
\by М.~А.~Чукеев, Е.~С.~Храмцов, Шимин~Чжэн, И.~В.~Игнатьев, С.~А.~Елисеев, Ю.~П.~Ефимов
\paper Влияние электрического поля на экситоны в квантовой яме при дополнительном оптическом возбуждении
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2023
\vol 57
\issue 6
\pages 461--468
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6900}
\crossref{https://doi.org/10.61011/FTP.2023.06.56475.43k}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=55831075}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6900
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v57/i6/p461
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:50
    PDF полного текста:34
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026