Влияние нейтронного облучения на спектр дефектов с глубокими уровнями в GaAs, изготовленном методом жидкофазной эпитаксии в атмосфере водорода и аргона

Представлены результаты экспериментальных исследований методами вольт-фарадных характеристик и нестационарной спектроскопии глубоких уровней плавных высоковольтных диодов $p^+$–$p^0$–$i$–$n^0$-GaAs, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии при температурах начала кристаллизации 900$^\circ$С из одного раствора-расплава за счет автолегирования фоновыми примесями, в атмосфере водорода или аргона, до облучения нейтронами и после. После облучения нейтронами в спектрах нестационарной спектроскопии глубоких уровней обнаружены широкие зоны кластера дефектов с акцептороподобными отрицательно заряженными ловушками в $n^0$-слое, возникающие в результате эмиссии электронов из состояний, расположенных выше середины запрещенной зоны. Обнаружено, что различия вольт-фарадных характеристик структур, выращенных в атмосфере водорода и аргона, обусловлены разными дозами облучения $p^+$–$p^0$–$i$–$n^0$-структур и разной степенью компенсации мелких донорных примесей глубокими ловушками в слоях.