Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 1, страницы 69–75
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.01.51814.9718
(Mi phts6973)
 

Электронные свойства полупроводников

Особенности магнитных осцилляций в монокристалле HgSe с примесями кобальта низкой концентрации ($<$ 1 ат%)

А. И. Вейнгерa, И. В. Кочманa, В. И. Окуловb, Т. Е. Говорковаb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, 620137 Екатеринбург, Россия
Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования осцилляций магнитосопротивления в монокристалле HgSe с примесями кобальта низкой концентрации ($<$ 1 ат%). Обнаружено, что при таких концентрациях примесей ($\sim$10$^{18}$ см$^{-3}$) наблюдаются два вида магнитных осцилляций: осцилляции Шубникова–де-Гааза при низких температурах ($T<$10 K) и магнитофононные осцилляции при температурах ($T>$ 10 K). Первые из них обусловлены взаимодействием с магнитным полем внутри подзоны Ландау, а вторые - взаимодействием с продольными оптическими фононами. Продемонстрированы различия в свойствах этих видов осцилляций. Сделаны предположения о возможном происхождении магнитофононных осцилляций в этих структурах.
Ключевые слова: 3$d$-примеси низкой концентрации, бесщелевые полупроводники, магнитофононные осцилляции, осцилляции ШдГ, оптические и акустические фононы.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации АААА-А18-118020190098-5
0040-2014-0002
Работа выполнена в рамках государственного задания по теме “Электрон” № АААА-А18-118020190098-5 и теме № 8.2 (0040-2014-0002).
Поступила в редакцию: 21.07.2021
Исправленный вариант: 18.08.2021
Принята в печать: 10.09.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Вейнгер, И. В. Кочман, В. И. Окулов, Т. Е. Говоркова, “Особенности магнитных осцилляций в монокристалле HgSe с примесями кобальта низкой концентрации ($<$ 1 ат%)”, Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022), 69–75
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VeiKocOku22}
\by А.~И.~Вейнгер, И.~В.~Кочман, В.~И.~Окулов, Т.~Е.~Говоркова
\paper Особенности магнитных осцилляций в монокристалле HgSe с примесями кобальта низкой концентрации ($<$ 1 ат\%)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 1
\pages 69--75
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6973}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.01.51814.9718}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=48311689}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6973
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i1/p69
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025