Многократное изменение электрон-фононного взаимодействия в квантовых ямах с диэлектрически различными барьерами

Теоретически исследованы особенности взаимодействия заряженных частиц с полярными оптическими фононами для квантовых ям с несимметричными по своим диэлектрическим свойствам барьерами. Показано, что в узких квантовых ямах наибольший вклад дает взаимодействие с интерфейсными фононными модами. Найдены параметры электрон-фононного взаимодействия при различных значениях фононных частот в материалах барьеров. Показано, что в подобных структурах возможно значительное (почти на порядок) изменение параметров электрон-фононного взаимодействия, что в принципе позволяет проследить переход от слабого взаимодействия к сильному в однотипных квантовых ямах с различным составом материалов барьеров. Найдены условия, при которых в несимметричной структуре возможно усиление электрон-фононного взаимодействия по сравнению с симметричной структурой, в которой в качестве барьеров использованы те же материалы.