Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 2, страницы 141–144
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.02.51950.15
(Mi phts6984)
 

XVII Межгосударственная конференция ''Термоэлектрики и их применения -- 2021" (ISCTA 2021 Санкт-Петербург, 13-16 сентября, 2021)

Микроструктура и термоэлектрические свойства среднеэнтропийных соединений BiSbTe$_{1.5}$Se$_{1.5}$ и PbSnTeSe, полученных реакционным искровым плазменным спеканием

Е. Н. Япрынцеваa, О. Н. Ивановb, А. Е. Васильевb, М. Н. Япрынцевa

a Белгородский государственный технологический университет имени В. Г. Шухова, 308012 Белгород, Россия
b Белгородский государственный национальный исследовательский университет, 308015 Белгород, Россия
Аннотация: Реакционное искровое плазменное спекание было использовано для получения однофазных образцов среднеэнтропийных соединений BiSbTe$_{1.5}$Se$_{1.5}$ (низкотемпературный термоэлектрик электронного типа проводимости) и PbSnTeSe (среднетемпературный термоэлектрик дырочного типа проводимости) из смеси порошков соответствующих элементарных металлов. Полученные образцы являются поликристаллическими с пластинчатыми зернами со средним размером $\sim$3.3 мкм в BiSbTe$_{1.5}$Se$_{1.5}$ и с зернами неправильной формы со средним размером $\sim$18.9 мкм в PbSnTeSe. Максимальное значение термоэлектрической добротности образцов составляет $\sim$0.43 (при 500 K для BiSbTe$_{1.5}$Se$_{1.5}$) и $\sim$0.35 (при 725 K для PbSnTeSe).
Ключевые слова: термоэлектрические материалы, среднеэнтропийные сплавы, реакционное искровое плазменное спекание, микроструктура.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 0625-2020-0015
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ, проект № 0625-2020-0015.
Поступила в редакцию: 19.09.2021
Исправленный вариант: 24.09.2021
Принята в печать: 24.09.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Н. Япрынцева, О. Н. Иванов, А. Е. Васильев, М. Н. Япрынцев, “Микроструктура и термоэлектрические свойства среднеэнтропийных соединений BiSbTe$_{1.5}$Se$_{1.5}$ и PbSnTeSe, полученных реакционным искровым плазменным спеканием”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 141–144
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YapIvaVas22}
\by Е.~Н.~Япрынцева, О.~Н.~Иванов, А.~Е.~Васильев, М.~Н.~Япрынцев
\paper Микроструктура и термоэлектрические свойства среднеэнтропийных соединений BiSbTe$_{1.5}$Se$_{1.5}$ и PbSnTeSe, полученных реакционным искровым плазменным спеканием
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 2
\pages 141--144
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6984}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.02.51950.15}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=48320143}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6984
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i2/p141
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:58
    PDF полного текста:31
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026