Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 2, страницы 156–160
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.02.51953.20a (Mi phts6987) 		 
XVII Межгосударственная конференция ''Термоэлектрики и их применения -- 2021" (ISCTA 2021 Санкт-Петербург, 13-16 сентября, 2021)

Блочные и монокристаллические пленки сплава висмут–сурьма 3–12 ат% с подслоем сурьмы

Д. Д. Ефимовa, В. А. Комаровa, Н. С. Каблуковаb, Е. В. Демидовa, М. В. Старицынc

a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, 191186 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный университет промышленных технологий и дизайна, 191186 Санкт-Петербург, Россия
c ГНЦ ФГУП "ЦНИИ конструкционных материалов "Прометей", 191015 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (930 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.02.51953.20a
Аннотация: Проведены исследования влияния подслоя сурьмы (10 нм) на структуру и гальваномагнитные свойства тонких пленок твердого раствора висмут-сурьма (3–12 ат% Sb) толщиной до 1 мкм, полученных дискретным термическим испарением в вакууме и зонной перекристаллизацией под покрытием на слюдяных подложках. У пленок на подслое сурьмы обнаружено увеличение разориентации плоскости (111) блоков относительно плоскости пленки, а также уменьшение их размеров. Использование подслоя сурьмы при перекристаллизации пленок не изменяет кристаллографическую ориентацию и увеличивает адгезию пленки к подложке. Изменение гальваномагнитных коэффициентов в пленках на подслое обусловлено классическим размерным эффектом и увеличением деформации плоскостного растяжения.
Ключевые слова: висмут, сурьма, тонкая пленка, подслой сурьмы, монокристаллическая пленка, атомно-силовая микроскопия, явления переноса.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство просвещения Российской федерации FSZN-2020-0026
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 075-11-2021-068
Работа выполнена в рамках государственного задания при финансовой поддержке Министерства просвещения России (проект FSZN-2020-0026). Часть экспериментальных исследований выполнена на оборудовании Центра коллективного пользования научным оборудованием “Состав, структура и свойства конструкционных и функциональных материалов” НИЦ “Курчатовский институт”– ЦНИИ КМ “Прометей” при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования – соглашение № 13.ЦКП.21.0014 (075-11-2021-068). Уникальный идентификационный номер – RF – 2296.61321X0014.
Поступила в редакцию: 19.09.2021
Исправленный вариант: 24.09.2021
Принята в печать: 24.09.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. Д. Ефимов, В. А. Комаров, Н. С. Каблукова, Е. В. Демидов, М. В. Старицын, “Блочные и монокристаллические пленки сплава висмут–сурьма 3–12 ат% с подслоем сурьмы”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 156–160
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EfiKomKab22}
\by Д.~Д.~Ефимов, В.~А.~Комаров, Н.~С.~Каблукова, Е.~В.~Демидов, М.~В.~Старицын
\paper Блочные и монокристаллические пленки сплава висмут--сурьма 3--12 ат\% с подслоем сурьмы
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 2
\pages 156--160
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6987}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.02.51953.20a}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=48320146}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6987
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i2/p156
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026