Диффузия германия из захороненного слоя SiO$_2$ и формирование фазы SiGe

Изучена диффузия Ge из захороненного слоя SiO$_2$ структуры кремний-на-изоляторе в зависимости от температуры отжига. Показано, что при температуре отжига ниже 900$^\circ$C практически весь Ge сосредоточен в области имплантации в слое SiO$_2$. После отжига при температуре 1100$^\circ$C миграция ионно-имплантированного Ge сопровождается несколькими процессами: диффузией в SiO$_2$, накоплением на границах раздела Si/SiO$_2$, диффузией в кремний и испарением из кремния. При 1100$^\circ$C диффузия Ge из SiO$_2$ к границе сращивания структуры кремний-на-изоляторе происходит с коэффициентом диффузии $\sim$2$\cdot$10–15 см$^2$/с, что на 2 порядка величины выше его равновесного значения. После отжига при 1100$^\circ$C, в зависимости от толщины слоя кремния, обнаружено формирование фазы Ge или SiGe.