Функциональные зависимости максимальной плотности энергии спектральной компоненты стимулированного пикосекундного излучения GaAs при насыщении усиления. Остаточное характерное время релаксации излучения

Во время мощной оптической пикосекундной накачки слоя GaAs гетероструктуры Al$_x$Ga$_{1-x}$As–GaAs–Al$_x$Ga$_{1-x}$As в нем возникает стимулированное пикосекундное излучение. Экспериментально выявлено, как при насыщении усиления излучения максимальная плотность энергии его спектральной компоненты и время достижения этого максимума зависят от энергии фотона, параметров усиления и релаксации компоненты. Из этих зависимостей следует, что на указанные плотность и время влияет замедление транспорта неравновесных носителей в энергетическом пространстве. Замедление вызвано взаимодействием носителей с излучением. Установлено, что при приближении к нулю диаметра активной области измеренное характерное время релаксации компоненты стремится к теоретическому универсальному остаточному времени релаксации, затянутому из-за указанного замедления транспорта.