Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 3, страницы 315–319
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.03.52117.9747 (Mi phts7016) 		 
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние кислорода при осаждении тонкой пленки оксида индия-олова методом магнетронного распыления для гетеропереходных солнечных элементов

А. Ф. Ивановab, Ф. С. Егоровb, Н. Д. Платоновa, В. Л. Матухинa, Е. И. Теруковcd

a Казанский государственный энергетический университет, 420066 Казань, Россия
b ООО "Хевел", 429965 Новочебоксарск, Россия
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (299 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.03.52117.9747
Аннотация: Проведено экспериментальное исследование оптоэлектронных свойств тонких пленок оксида индия и олова в зависимости от содержания кислорода в общем потоке газов при напылении данных пленок методом магнетронного распыления мишени на постоянном токе. Была исследована зависимость выходных параметров гетеропереходных тонкопленочных солнечных элементов в зависимости от парциального давления кислорода в вакуумной камере при осаждении слоя оксида индия и олова. Максимальное значение эффективности фотоэлектрического преобразования солнечного элемента достигнуто при парциальном давлении кислорода в вакуумной камере $\sim$6.5 Торр.
Ключевые слова: гетеропереходный тонкопленочный солнечный элемент, оксид индия и олова, магнетронное распыление.
Поступила в редакцию: 27.09.2021
Исправленный вариант: 01.10.2021
Принята в печать: 01.10.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Ф. Иванов, Ф. С. Егоров, Н. Д. Платонов, В. Л. Матухин, Е. И. Теруков, “Влияние кислорода при осаждении тонкой пленки оксида индия-олова методом магнетронного распыления для гетеропереходных солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 315–319
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IvaEgoPla22}
\by А.~Ф.~Иванов, Ф.~С.~Егоров, Н.~Д.~Платонов, В.~Л.~Матухин, Е.~И.~Теруков
\paper Влияние кислорода при осаждении тонкой пленки оксида индия-олова методом магнетронного распыления для гетеропереходных солнечных элементов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 3
\pages 315--319
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7016}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.03.52117.9747}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=48339500}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7016
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i3/p315
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025