Механизмы токопереноса в полупроводниковой структуре с пленкой пористого кремния, сформированной металл-стимулированным травлением

Показано, что при создании пленки пористого Si, сформированной металл-стимулированным травлением, на монокристаллической подложке Si $p$-типа образуется барьерный слой. Выпрямляющие свойства полупроводниковой структуры можно объяснить фиксацией уровня Ферми в приповерхностном слое пористого Si вследствие высокой концентрации электрически активных дефектов (глубоких центров или ловушек), что вызывает изгиб энергетических зон и возникновение потенциального барьера. Исследование комбинационного рассеяния света показало отсутствие размерных эффектов и изменения ширины запрещенной зоны в пленке пористого Si. В результате исследования температурной зависимости вольт-амперных характеристик и методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней определены энергии активации глубоких центров.