Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 4, страницы 438–440
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.04.52200.9768 (Mi phts7035) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Сравнительное исследование фотоэлементов на основе кремния, легированного никелем различными методами

К. А. Исмайловa, Н. Ф. Зикриллаевb, С. В. Ковешниковb, Е. Ж. Косбергеновa

a Каракалпакский государственный университет, 230112 Нукус, Узбекистан
b Ташкентский государственный технический университет, 100095 Ташкент, Узбекистан
PDF полного текста (102 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.04.52200.9768
Аннотация: Сравнивались параметры фотоэлементов на основе кремния, легированного примесными атомами никеля методами диффузии и при выращивании. Установлено, что фотоэлементы, легированные примесными атомами никеля при выращивании кремния, имеют улучшение параметров, сравнимое с полученным методом диффузионного легирования. Дополнительная термообработка при $T$ = 800$^\circ$C позволяет заметно улучшить основные параметры фотоэлементов.
Ключевые слова: кремний, фотоэлемент, никель, термообработка, диффузия.
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. А. Исмайлов, Н. Ф. Зикриллаев, С. В. Ковешников, Е. Ж. Косбергенов, “Сравнительное исследование фотоэлементов на основе кремния, легированного никелем различными методами”, Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022), 438–440
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IsmZikKov22}
\by К.~А.~Исмайлов, Н.~Ф.~Зикриллаев, С.~В.~Ковешников, Е.~Ж.~Косбергенов
\paper Сравнительное исследование фотоэлементов на основе кремния, легированного никелем различными методами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 4
\pages 438--440
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7035}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.04.52200.9768}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=48411886}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7035
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i4/p438
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025