Влияние условий формирования кремниевых диодов на их обратные токи

Проведено исследование влияния технологии изготовления кремниевых диодов на возникновение центров генерации и рекомбинации. Сравнивались электрические характеристики $p$–$n$-переходов, сформированных разными способами на кремниевых подложках $n$-типа: а) слой $p$-типа был создан диффузионным методом; b) слой $p$-типа формировался путем ионной имплантации в предварительно наращенный на подложке эпитаксиальный $n$-слой; c) на подложке последовательно осаждались два эпитаксиальных слоя $n$- и $p$-типа. Установлено, что у диодов на основе двойного эпитаксиального слоя прямые и обратные вольт-амперные характеристики обусловлены диффузионным механизмом, а сами структуры имеют низкую концентрацию рекомбинационных центров. В то же время у диодов на основе диффузионного метода и ионной имплантации вольт-амперные характеристики обусловлены генерационно-рекомбинационным механизмом. При обратном смещении существенную роль в формировании вольт-амперных характеристик играют электрон-фононные процессы, а при прямом – рекомбинация носителей в области пространственного заряда $p$–$n$-перехода. Определены концентрации и энергии центров рекомбинации.