Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 5, страницы 508–515
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.05.52355.9813 (Mi phts7048) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Фотоприемники на основе гетероструктур GaInAsSb/GaAlAsSb для практических задач прецизионной диодной лазерной спектроскопии

Е. В. Куницынаa, И. А. Андреевa, Г. Г. Коноваловa, А. А. Пивовароваa, Н. Д. Ильинскаяa, Ю. П. Яковлевa, Я. Я. Понуровскийb, А. И. Надеждинскийb, А. С. Кузьмичевb, Д. Б. Ставровскийb, М. В. Спиридоновb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
PDF полного текста (424 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.05.52355.9813
Аннотация: Рассмотрены отечественные неохлаждаемые фотоприемники на основе гетероструктур GaInAsSb/GaAlAsSb, которые могут применяться в прецизионной диодной лазерной спектроскопии. Диапазон спектральной чувствительности фотоприемников с диаметром фоточувствительной площадки 1.0 и 2.0 мм составляет 1.0–2.4 мкм. Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 2.1 мкм имеет значение 1.0 А/Вт без смещения. Емкость достигает 375 пФ при диаметре площадки 1.0 мм и 800–5000 пФ при 2 мм. Представлены современные газоанализаторы на основе диодных лазеров и GaInAsSb/GaAlAsSb-фотоприемников для медицинской скрининговой диагностики заболеваний по выдыхаемым компонентам воздуха, контроля примесных газов в процессе ректификационной очистки неорганических гидридов, контроля утечек метана в газовых трубопроводах, а также для регистрации выхлопных газов движущегося автомобиля.
Ключевые слова: фотоприемник, гетероструктура, диодная лазерная спектроскопия, газоанализатор.
Поступила в редакцию: 03.02.2022
Исправленный вариант: 10.02.2022
Принята в печать: 10.02.2022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, Я. Я. Понуровский, А. И. Надеждинский, А. С. Кузьмичев, Д. Б. Ставровский, М. В. Спиридонов, “Фотоприемники на основе гетероструктур GaInAsSb/GaAlAsSb для практических задач прецизионной диодной лазерной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 508–515
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KunAndKon22}
\by Е.~В.~Куницына, И.~А.~Андреев, Г.~Г.~Коновалов, А.~А.~Пивоварова, Н.~Д.~Ильинская, Ю.~П.~Яковлев, Я.~Я.~Понуровский, А.~И.~Надеждинский, А.~С.~Кузьмичев, Д.~Б.~Ставровский, М.~В.~Спиридонов
\paper Фотоприемники на основе гетероструктур GaInAsSb/GaAlAsSb для практических задач прецизионной диодной лазерной спектроскопии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 5
\pages 508--515
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7048}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.05.52355.9813}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=48412068}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7048
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i5/p508
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025