Формирование медной контактной сетки на поверхности кремниевых гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей

Представлен сравнительный анализ различных методов формирования медной (Cu) контактной сетки на поверхности кремниевых гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей (SHJ ФЭП) в качестве альтернативы стандартному методу трафаретной печати с использованием дорогостоящих серебросодержащих (Ag) паст. Показано, что использование струйной печати для формирования защитных диэлектрических масок на основе органического полимера и тонких буферных металлических слоев для роста Cu-контактной сетки методом электрохимического осаждения позволяет формировать контактную сетку необходимой формы, обладающую достаточной адгезией к поверхности SHJ ФЭП. Используя данный метод, были изготовлены двусторонние SHJ ФЭП (размером 157 $\times$ 157 мм) с Cu-контактной сеткой, демонстрирующие кпд = 22.9% и уровень адгезии 3–5 Н/мм по сравнению с 22.6% и 1.5–2 Н/мм при использовании аналогичной контактной сетки на основе Ag-пасты.