|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Электронные свойства полупроводников
Особенности электрофизических параметров кремния, легированного последовательно примесными атомами фосфора и бора
Х. Ф. Зикриллаев, К. С. Аюпов, Г. Х. Мавлонов, А. А. Усмонов, М. М. Шоабдурахимова Ташкентский государственный технический университет, 100095 Ташкент, Узбекистан
Аннотация:
Изучены образцы кремния, последовательно легированные примесными атомами фосфора и бора. Эти исследования позволили получить данные о взаимодействии и распределении примесных атомов фосфора и бора в кремнии. Установлено, что в таких образцах кремния меняется подвижность электронов и дырок. Из анализа полученных результатов было установлено, что атомы бора изменяют тип проводимости материала до глубины 2 мкм за счет компенсации атомов фосфора, которые в 4 раза превышают концентрацию бора в кремнии.
Ключевые слова:
полупроводник, кремний, фосфор, бор, легирование, подвижность, диффузия, концентрация.
Поступила в редакцию: 02.03.2022 Исправленный вариант: 15.03.2022 Принята в печать: 15.03.2022
Образец цитирования:
Х. Ф. Зикриллаев, К. С. Аюпов, Г. Х. Мавлонов, А. А. Усмонов, М. М. Шоабдурахимова, “Особенности электрофизических параметров кремния, легированного последовательно примесными атомами фосфора и бора”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022), 528–532
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7051 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i6/p528
|
|