|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Размерное моделирование синтеза и проводимости коллоидных квантовых точек
Н. Д. Жуковa, М. В. Гавриковab, С. Н. Штыковb a ООО "НПП Волга", 410033 Саратов, Россия
b Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского, 410012 Саратов, Россия
Аннотация:
На примере синтезированных ранее коллоидных квантовых точек (QD) ряда полупроводников CdSe, PbS, HgSe, InSb определены предельные размеры нанокристаллов совершенной структуры при их синтезе в зависимости от соотношений их объемной и поверхностной энергии, которые могут варьироваться от 6 нм для QD-InSb до 17 нм для QD-CdSe. Проводимость одиночных квантовых точек в межэлектродном нанозазоре является одноэлектронной, а их вольт-амперная характеристика имеет области электронного туннелирования через потенциальные барьеры, кулоновского ограничения тока и резонансные пики квантовой проводимости. Определены размерные соотношения и построены номограммы связи размерных параметров для обеспечения условий квантовой проводимости. Обосновано предположение о терагерцовых осцилляциях тока.
Ключевые слова:
квантовая точка, нанокристалл, коллоидный синтез, монокристаллическая структура, размерные соотношения, квантовая размерность, одноэлектронная проводимость, квантовая проводимость, квантовый осциллятор.
Поступила в редакцию: 24.01.2022 Исправленный вариант: 14.02.2022 Принята в печать: 14.02.2022
Образец цитирования:
Н. Д. Жуков, М. В. Гавриков, С. Н. Штыков, “Размерное моделирование синтеза и проводимости коллоидных квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022), 553–558
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7058 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i6/p553
|
|