Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 7, страницы 637–641
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.07.52752.07 (Mi phts7075) 		 
XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Влияние процесса формирования единичного кластера радиационных дефектов на проводимость канала транзисторной структуры

И. Ю. Забавичевab, А. С. Пузановab, С. В. Оболенскийab

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Филиал РФЯЦ ВНИИЭФ "НИИИС им. Ю.Е. Седакова", 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (159 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.07.52752.07
Аннотация: Исследовано влияние формирования единичного кластера радиационных дефектов на характеристики короткоканальных структур. Проведены оценки величины энергии ядерной частицы, способной сформировать кластер радиационных дефектов, вызывающий сбой и отказ работы современных кремниевых транзисторов с различными размерами рабочих областей.
Ключевые слова: короткоканальный транзистор, кластер радиационных дефектов, одиночный сбой.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 0729-2020-0057
Работа выполнена в рамках базовой части государственного задания, проект 0729-2020-0057.
Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Ю. Забавичев, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, “Влияние процесса формирования единичного кластера радиационных дефектов на проводимость канала транзисторной структуры”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 637–641
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZabPuzObo22}
\by И.~Ю.~Забавичев, А.~С.~Пузанов, С.~В.~Оболенский
\paper Влияние процесса формирования единичного кластера радиационных дефектов на проводимость канала транзисторной структуры
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 7
\pages 637--641
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7075}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.07.52752.07}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=49223510}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7075
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i7/p637
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026