Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 8, страницы 723–727
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.08.53135.21 (Mi phts7091) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO$_2$(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge

М. Н. Коряжкина, Д. О. Филатов, М. Е. Шенина, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, А. В. Ершов, А. П. Горшков, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603022 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (206 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.08.53135.21
Аннотация: Исследовано влияние электромагнитного излучения видимого и ближнего инфракрасного диапазонов на резистивное переключение МДП-структуры на основе пленок ZrO$_2$(Y) на подложке $n$-Si(001) с самоорганизованными наноостровками Ge на ее поверхности. Наблюдалось увеличение логического коридора резистивных переключений при фотовозбуждении, связанное с влиянием фотоэдс на барьере Si/Ge/ZrO$_2$(Y), в том числе при фотовозбуждении в области энергий квантов, меньших ширины запрещенной зоны Si. В последнем случае эффект связан с пространственно-непрямыми межзонными оптическими переходами в наноостровках Ge.
Ключевые слова: мемристор, фотоиндуцированное резистивное переключение, стабилизированный диоксид циркония, МДП-структура, наноостровки Ge/Si.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 22-22-00866
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 0729-2020-0058
Работа выполнена при поддержке РНФ № 22-22-00866 (выращивание гетероструктур с наноостровками Ge/Si(001)) и Министерства науки и высшего образования РФ в рамках проектной части государственного задания № 0729-2020-0058 (исследования влияния фотовозбуждения на резистивное переключение).
Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Н. Коряжкина, Д. О. Филатов, М. Е. Шенина, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, А. В. Ершов, А. П. Горшков, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, “Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO$_2$(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022), 723–727
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KorFilShe22}
\by М.~Н.~Коряжкина, Д.~О.~Филатов, М.~Е.~Шенина, И.~Н.~Антонов, А.~В.~Круглов, А.~В.~Ершов, А.~П.~Горшков, С.~А.~Денисов, В.~Ю.~Чалков, В.~Г.~Шенгуров
\paper Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO$_2$(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 8
\pages 723--727
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7091}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.08.53135.21}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=49223526 }
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7091
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i8/p723
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025