Определение толщины зародышевого слоя AlN, сформированного на поверхности Al$_2$O$_3$(0001) в процессе нитридизации, методами РФЭС и ИК-спектроскопии

Исследовано влияние разной степени завершенности процесса нитридизации поверхности сапфира на морфологию буферного слоя AlN. Обнаружено, что $\sim$85% завершенность образования кристаллической фазы AlN способствует росту двумерного буферного слоя AlN с гладкой морфологией поверхности вне зависимости от температуры подложки и потока аммиака, в отличие от формирования зародышевого слоя AlN в результате слабой или избыточной нитридизации сапфира, на котором образуется поликристаллическая либо трехмерная структуры AlN с высокой плотностью инверсионных доменов соответственно. Независимыми методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и инфракрасной спектроскопии поверхностных поляритонов была определена толщина зародышевого слоя AlN при $\sim$85% степени завершенности процесса нитридизации, которая составила $\sim$1 монослой.