Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 8, страница 808 (Mi phts7105)  

XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

First principles study of the structural, electronic, optical and thermal properties of chalcopyrite semiconductor LiAlTe$_2$

H. Benkhedima, H. Meradjia, S. Ghemida, A. Bouaslaa, A. Boumazaa, H. Bendjeddoua, Z. Chouahdaa, R. Khenatab

a Laboratoire LPR, Département de Physique, Faculté des Sciences, Université Badji Mokhtar, Annaba, Algeria
b Laboratoire de Physique Quantique de la Matiére et de la Modélisation Mathématique (LPQ3M), Université de Mascara, Mascara, 29000, Algeria
Аннотация: The structural, electronic, optical and thermal properties of chalcopyrite LiAlTe$_2$ are studied using the full potential linearized augmented plane wave (FP-LAPW) method framed within density functional theory (DFT). The Wu–Cohen generalized gradient approximation (WC-GGA) was used as exchange-correlation potential to calculate the structural properties. Furthermore, the Tran and Blaha modified Becke–Johnson (mBJ) functional was also employed to compute the electronic and optical properties in order to get best values. The structural parameters at equilibrium are in good agreement with previous experimental and theoretical calculations. The band structures and density of states are calculated and it is found that LiAlTe$_2$ compound is a direct band gap ($\Gamma$$\Gamma$) semiconductor. In addition, the optical properties such as dielectric function, refractive index, reflectivity and absorption coefficient are calculated for photon energies up to 25 eV. This study on the optical properties has also been enriched by the introduction of the analysis of birefringence and anisotropy for this material. The calculated values of all parameters are compared with the available theoretical data where a reasonable agreement has been obtained. The study of the material properties at high temperatures and pressures is very important to understand the behavior of a material in severe conditions, so the temperature and pressure dependencies of unit cell volume, bulk modulus, Debye temperature and specific heat capacities are obtained at different temperatures (0–1000 K) and pressures (0–8 GPa) using the quasi-harmonic Debye model. To our knowledge this is the first theoretical prediction of the thermal properties for LiAlTe$_2$ compound and still awaits experimental confirmations. We have included the spin-orbit interaction (SOI) in our calculations which is known to have significant influence on the electronic and optical properties when heavy elements are present. A weak effect is observed for the studied compound.
Ключевые слова: DFT; Wien2k, Chalcopyrite; band gap; dielectric function; thermal properties.
Поступила в редакцию: 24.02.2021
Исправленный вариант: 28.10.2021
Принята в печать: 16.05.2021
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: H. Benkhedim, H. Meradji, S. Ghemid, A. Bouasla, A. Boumaza, H. Bendjeddou, Z. Chouahda, R. Khenata, “First principles study of the structural, electronic, optical and thermal properties of chalcopyrite semiconductor LiAlTe$_2$”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022), 808
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BenMerGhe22}
\by H.~Benkhedim, H.~Meradji, S.~Ghemid, A.~Bouasla, A.~Boumaza, H.~Bendjeddou, Z.~Chouahda, R.~Khenata
\paper First principles study of the structural, electronic, optical and thermal properties of chalcopyrite semiconductor LiAlTe$_2$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 8
\pages 808
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7105}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7105
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i8/p808
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025