Устойчивость к электронному облучению высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур

Впервые исследовано влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на параметры 4H-SiC диодов Шоттки с предельным блокирующим напряжением $U_b$ = 600 и 1700 В в диапазоне рабочих температур $T_i$ (23 и 175$^\circ$С). Диапазон флюенсов $\Phi$ составлял 1$\cdot$10$^{16}$-2$\cdot$10$^{16}$ см$^{-2}$ для приборов c $U_b$ = 600 В и 5$\cdot$10$^{15}$–1.5$\cdot$10$^{16}$ cм$^{-2}$ для приборов c $U_b$ = 1700 В. Облучение при комнатной температуре значительно увеличивает дифференциальное сопротивление базы диодов. Облучение теми же дозами при $T_i$ = 175$^\circ$С – предельной рабочей температуре приборов практически не сказывается на параметрах вольтамперных характеристик. Тем не менее DLTS-спектры демонстрируют значительное увеличение концентрации глубоких уровней в верхней половине запрещенной зоны не только после облучения при комнатной температуре, но и после облучения при $T_i$ = 175$^\circ$С.