Исследование особенностей нанесения нанослоев Al$_2$O$_3$ методом атомно-слоевого осаждения на структурированные пленки ITO

Изучались просветляющие наноструктурированные покрытия ITO/Al$_2$O$_3$, имеющие градиент эффективного показателя преломления в направлении, перпендикулярном плоскости подложки. Исследуемые покрытия были получены методом атомно-слоевого осаждения оксида алюминия на структурированные пленки ITO. Средствами просвечивающей электронной микроскопии показано, что осажденный наноразмерный слой оксида алюминия обладает хорошим качеством и равномерно обволакивает нитевидные кристаллы ITO. Как оказалось в экспериментах, толщина получаемого слоя Al$_2$O$_3$ зависит от толщины и, как следствие, степени развитости поверхности исходной пленки ITO. Получаемые толщины могут быть в несколько раз тоньше, чем планировалось в эксперименте, исходя как из расчетов параметров процесса атомно-слоевого осаждения, так и из непосредственных измерений скорости осаждения оксида алюминия на пленки неструктурированного ITO. Возможной причиной, влияющей на скорость роста слоя Al$_2$O$_3$ в наноструктурированных пленках ITO, является сильный рост площади поверхности пленки ITO при ее структурировании. Так, оценка для пленки структурированного ITO толщиной 700 нм, проведенная на основе данных просвечивающей и сканирующей микроскопии, показала, что площадь ее поверхности более чем в 20 раз превышает площадь гладкой пленки.