Стимулированное излучение в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP с асимметричным электронным ограничением

Исследованы электролюминесцентные характеристики асимметричных светодиодных гетероструктур InAs/InAs$_{1-y}$Sb$_y$/InAsSbP с высокой мольной долей InSb в активной области ($y>$ 0.09) в диапазоне температур 4.2–300 K. При низких температурах ($T<$ 30 K) было достигнуто стимулированное излучение в диапазоне длин волн 4.1–4.2 мкм. Было установлено, что спектры электролюминесценции формировались в результате суперпозиции вкладов различных каналов излучательной рекомбинации носителей заряда вблизи гетерограницы II типа. Рассмотрено влияние качества гетероперехода II типа InAsSb/InAsSbP при увеличении содержания InSb в тройном твердом растворе на излучательные интерфейсные переходы.