Накопление структурных нарушений при облучении $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ ионами P и PF$_4$

Проведено исследование накопления радиационных повреждений в эпитаксиальных слоях $\alpha$-фазы оксида галлия ($\alpha$-Ga$_2$O$_3$) при облучении атомарными P и молекулярными PF$_4$ ионами с энергиями 40 и 140 кэВ соответственно. Распределение стабильных нарушений структуры в обоих случаях носит бимодальный характер. Дозы, необходимые для создания одинакового уровня разупорядочения в этой метастабильной фазе, оказываются существенно выше, чем в термодинамически стабильном полиморфе $\beta$-Ga$_2$O$_3$. Показано, что скорость роста поверхностного разупорядоченного слоя при облучении молекулами PF$_4$ больше, чем при бомбардировке атомарными ионами P. В то же время концентрация дефектов в объемном максимуме оказывается выше при облучении атомарными ионами. Обнаружено сильное влияние плотности каскадов смещений на эффективность формирования стабильных повреждений кристаллической структуры при ионной бомбардировке $\alpha$-оксида галлия.