Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 9, страницы 888–892
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.09.53410.9885 (Mi phts7120) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Пленки фторида кальция толщиной 2–10 нм на кремнии-(111): выращивание, диагностика, изучение сквозного токопереноса

А. Г. Банщиков, М. И. Векслер, И. А. Иванов, Ю. Ю. Илларионов, Н. С. Соколов, С. М. Сутурин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (373 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.09.53410.9885
Аннотация: Получены эпитаксиальные слои фторида кальция (CaF$_2$) с номинальной толщиной до 10 нм на кремнии ориентации (111). Записана топография поверхности пленок фторида, изучены вольт-амперные характеристики структур Au/CaF$_2$/Si. Такие структуры, на качественном уровне, демонстрировали все особенности, присущие системам металл–диэлектрик–полупроводник. Вольт-амперные кривые образцов были воспроизведены моделированием с учетом конечного (0.1–1 нм) значения стандартной девиации толщины диэлектрической пленки CaF$_2$.
Ключевые слова: фторид кальция, тонкие пленки, МДП-структура, ток утечки.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 21-52-14007 АНФ_а
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект АНФ_а № 21-52-14007).
Поступила в редакцию: 12.05.2022
Исправленный вариант: 30.06.2022
Принята в печать: 30.06.2022
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2023, Volume 57, Issue 4, Pages 211–215
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782623070047
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Г. Банщиков, М. И. Векслер, И. А. Иванов, Ю. Ю. Илларионов, Н. С. Соколов, С. М. Сутурин, “Пленки фторида кальция толщиной 2–10 нм на кремнии-(111): выращивание, диагностика, изучение сквозного токопереноса”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 888–892; Semiconductors, 57:4 (2023), 211–215
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BanVexIva22}
\by А.~Г.~Банщиков, М.~И.~Векслер, И.~А.~Иванов, Ю.~Ю.~Илларионов, Н.~С.~Соколов, С.~М.~Сутурин
\paper Пленки фторида кальция толщиной 2--10 нм на кремнии-(111): выращивание, диагностика, изучение сквозного токопереноса
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 9
\pages 888--892
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7120}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.09.53410.9885}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=49607469}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2023
\vol 57
\issue 4
\pages 211--215
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782623070047}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7120
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i9/p888
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025