Поляронная масса носителей в тонкой пленке на ионных подложках

Предложен новый подход для реализации сильного электрон-фононного взаимодействия в гетероструктурах. Исследована трехслойная структура, состоящая из ионной подложки, полупроводниковой пленки и покрывающего диэлектрика, в роли которого может выступать воздух или вакуум. Вблизи гетерограницы возникают интерфейсные оптические фононы, параметры которых определяются главным образом диэлектрическими свойствами подложки. Показано, что наличие интерфейсных фононов меняет величину эффективной массы носителей в пленке. В зависимости от степени ионности подложки это изменение может варьироваться от нескольких десятков до сотен процентов. Показано, что во многих полупроводниковых пленках возможна реализация условия сильного электрон-фононного взаимодействия. При этом измерение эффективной массы носителей в одинаковых пленках, расположенных на разных подложках, позволит проследить переход от слабого электрон-фононного взаимодействия к сильному.