Анализ вольт-фарадных характеристик МДП-структур с ALD Al$_2$O$_3$ на $n$- и $p$-CdHgTe, стабилизированном сверхтонким собственным оксидом

Изучены вольт-фарадные характеристики структур металл-диэлектрик-полупроводник c атомно-слоевым осаждением Al$_2$O$_3$ на $n$- и $p$-Cd$_{0.22}$Hg$_{0.78}$Te (как с поверхностным варизонным слоем, так и без него), предварительно окисленном в кислородной плазме тлеющего разряда до толщины собственного оксида 2 нм. Полученные структуры характеризуются положительным встроенным зарядом плотностью $\sim$(1–6)·10$^{11}$ см$^{-2}$. Отношение плотности медленных поверхностных состояний к поверхностной ширине запрещенной зоны полупроводника практически не зависит от варизонного слоя и составляет $\sim$(4–8) $\cdot$ 10$^{11}$ см$^{-2}$ $\cdot$ эВ$^{-1}$. Предложенная методика пассивации обеспечивает близкий к идеальному вид низкочастотных вольт-фарадных характеристик со слабым вкладом быстрых поверхностных состояний. Обнаружено, что пленки теллурида кадмия-ртути, выращенного без поверхностного варизонного слоя, более чувствительны к процессу окисления в плазме тлеющего разряда.