Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 12, страницы 1112–1119
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2022.12.54509.4129
(Mi phts7155)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Получение и свойства мезопористых пленок MoS$_2$

А. Б. Логиновa, С. Н. Боковаbc, П. В. Федотовbc, И. В. Сапковa, Д. Н. Хмеленинd, Р. Р. Исмагиловa, Е. Д. Образцоваbc, Б. А. Логиновe, А. Н. Образцовa

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
c Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), 141701 Московская область, Долгопрудный, Россия
d Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Российской академии наук, 119333 Москва, Россия
e Национальный исследовательский университет "МИЭТ", 124498 Москва, Россия
Аннотация: Дисульфид молибдена (MoS$_2$) относится к кристаллическим материалам, привлекающим значительное внимание исследователей благодаря ярко выраженному двумерному характеру его электронных свойств. Для получения MoS$_2$ в качестве прекурсоров использовались термически распыляемый молибден и газообразный сероводород, в результате реакции которых на поверхности кремниевой подложки формировалась пленка, состоящая из пластинчатых кристаллитов нанометровой толщины, образованных параллельно расположенными атомными слоями, имеющими преимущественную ориентацию вдоль нормали к поверхности подложки. Исследована зависимость морфологии пленок от длительности процесса осаждения, температуры подложки и концентрации прекурсоров в газообразной фазе. Изучение структурно-морфологических свойств и состава получаемых пленок с помощью методов электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света выявило наличие монослойного и бислойного МоS$_2$. Проведенный анализ показывает зависимость фотолюминесцентных свойств полученных мезопористых пленок от размеров составляющих их кристаллитов.
Ключевые слова: двумерные материалы, дихалькогениды переходных металлов, флейки, монослои, мезопористые пленки.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации 01200803994
Фонд развития теоретической физики и математики БАЗИС 21-2-10-34-1
Российский научный фонд 20-42-08004
Постановка задачи, составление плана исследований и реализация процесса синтеза пленочных материалов выполнены в рамках государственного задания “Физика кристаллизации и свойства кристаллов и пленок” (№государственной регистрации 01200803994). Исследования процесса синтеза также поддержаны Фондом развития теоретической физики и математики “Базис” (грант № 21-2-10-34-1). Оптические исследования выполнялись при поддержке грантом РНФ № 20-42-08004. Структурные исследования методами просвечивающей электронной микроскопии проведены на оборудовании ЦКП ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках выполнения работ по государственному заданию ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН.
Поступила в редакцию: 23.09.2022
Исправленный вариант: 14.11.2022
Принята в печать: 09.12.2022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Б. Логинов, С. Н. Бокова, П. В. Федотов, И. В. Сапков, Д. Н. Хмеленин, Р. Р. Исмагилов, Е. Д. Образцова, Б. А. Логинов, А. Н. Образцов, “Получение и свойства мезопористых пленок MoS$_2$”, Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022), 1112–1119
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LogBokFed22}
\by А.~Б.~Логинов, С.~Н.~Бокова, П.~В.~Федотов, И.~В.~Сапков, Д.~Н.~Хмеленин, Р.~Р.~Исмагилов, Е.~Д.~Образцова, Б.~А.~Логинов, А.~Н.~Образцов
\paper Получение и свойства мезопористых пленок MoS$_2$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2022
\vol 56
\issue 12
\pages 1112--1119
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7155}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2022.12.54509.4129}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=50215045}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7155
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v56/i12/p1112
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025