О влиянии травления сфокусированным пучком ионов Ga$^+$ в диапазоне энергий 12–30 кэВ на люминесцентные свойства гетероструктуры Al$_{0.18}$Ga$_{0.82}$As/GaAs/Al$_{0.18}$Ga$_{0.82}$As

Исследовано влияние энергии ионов в сфокусированном ионном пучке в диапазоне 12–30 кэВ на глубину формирования центров безызлучательной рекомбинации при травлении двойной гетероструктуры Al$_{0.18}$Ga$_{0.82}$As/GaAs/Al$_{0.18}$Ga$_{0.82}$As. Показано, что увеличение энергии ионов приводит к росту концентрации и глубины распространения радиационных дефектов. Обнаружено, что при травлении сфокусированным ионным пучком с энергиями ионов более 15 кэВ глубина формирования радиационных дефектов превышает 900 нм, что не соответствует расчетам в программе Stopping and Range of Ions in Matter.