Стимулированная эмиссия в сильно легированных Al$_{0.68}$Ga$_{0.32}$N : Si-структурах с поперечной оптической накачкой при комнатной температуре

Экспериментально реализована широкополосная стимулированная эмиссия с неоднородно уширенным спектром в диапазоне $\lambda$ = 380–700 нм в сильно легированных Al$_{0.68}$Ga$_{0.32}$N : Si-структурах, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Поведение интенсивностей и спектров стимулированной эмиссии из грани активного элемента с поперечной импульсной накачкой излучением с $\lambda$ = 266 нм, измеренных при комнатной температуре, демонстрируют пороговое поведение и оптическое усиление. Для стимулированной эмиссии с максимумом на $\lambda$ = 500 нм минимальная пороговая плотность мощности накачки составила 6.5 кВт/см$^2$ при длине возбужденной области 1.5 мм. Исследованы параметры и вклад двух основных процессов $e$–$A$ и $D$–$A$ излучательной рекомбинации в возбужденных структурах для стимулированной эмиссии и оптического усиления.