Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 1, страницы 16–22
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2025.01.60495.7693 (Mi phts7166) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Оптимизация параметров кремниевого электрооптического фазовращателя, работающего на эффекте обеднения свободными носителями

Е. А. Лаврухинаa, Д. С. Пашинa, А. В. Неждановa, К. В. Сидоренкоa, П. В. Волковb, А. И. Бобровa

a Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603022 Нижний Новгород, Россия
b Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (390 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/FTP.2025.01.60495.7693
Аннотация: Выполнена оптимизация геометрических размеров поперечного сечения и концентраций легирующих примесей $p$–$n$-перехода электрооптического фазовращателя на основе обедненного кремния свободными носителями методом градиентного спуска. Полученная в результате моделирования конфигурация обеспечивает баланс между эффективностью фазового сдвига и потерями на свободных носителях. Кроме того, определена область геометрических параметров, реализующая одномодовый режим высоколегированных волноводов неполного травления. Предложенная методика и полученные результаты могут быть полезны для проектирования интегральных фотонных устройств.
Ключевые слова: кремниевая фотоника, электрооптические фазовращатели, кремний-на-изоляторе, дисперсия плазмы свободных носителей, одномодовый режим.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации FSWR-2022-0007
Национальный центр физики и математики
В части математического моделирования работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, проект № FSWR-2022-0007. В части эксперимента исследование выполнено в рамках научной программы Национального центра физики и математики, направление № 1 “Национальный центр исследования архитектур суперкомпьютеров. Этап 2023–2025”.
Поступила в редакцию: 26.03.2025
Исправленный вариант: 31.03.2025
Принята в печать: 03.04.2025
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. А. Лаврухина, Д. С. Пашин, А. В. Нежданов, К. В. Сидоренко, П. В. Волков, А. И. Бобров, “Оптимизация параметров кремниевого электрооптического фазовращателя, работающего на эффекте обеднения свободными носителями”, Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025), 16–22
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LavPasNez25}
\by Е.~А.~Лаврухина, Д.~С.~Пашин, А.~В.~Нежданов, К.~В.~Сидоренко, П.~В.~Волков, А.~И.~Бобров
\paper Оптимизация параметров кремниевого электрооптического фазовращателя, работающего на эффекте обеднения свободными носителями
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2025
\vol 59
\issue 1
\pages 16--22
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7166}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7166
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v59/i1/p16
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:81
    PDF полного текста:35
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026