Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 1, страницы 3–5 (Mi phts7173)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием

Д. А. Павловa, Н. В. Байдусьb, А. И. Бобровa, О. В. Вихроваb, Е. И. Волковаa, Б. Н. Звонковb, Н. В. Малехоноваa, Д. С. Сорокинa

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (727 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Методом геометрической фазы показано распределение упругих деформаций в системе, состоящей из слоя квантовых точек и захороненного под ним слоя фосфидированного арсенида галлия. Предложена гипотеза о возможности управления процессом формирования квантовых точек InAs в матрице GaAs посредством локального изовалентного введения фосфора.
Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 1, Pages 1–3
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615010182
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Павлов, Н. В. Байдусь, А. И. Бобров, О. В. Вихрова, Е. И. Волкова, Б. Н. Звонков, Н. В. Малехонова, Д. С. Сорокин, “Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 3–5; Semiconductors, 49:1 (2015), 1–3
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PavBaiBob15}
\by Д.~А.~Павлов, Н.~В.~Байдусь, А.~И.~Бобров, О.~В.~Вихрова, Е.~И.~Волкова, Б.~Н.~Звонков, Н.~В.~Малехонова, Д.~С.~Сорокин
\paper Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 3--5
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7173}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195055}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 1--3
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615010182}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7173
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i1/p3
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025