Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 1, страницы 6–10 (Mi phts7174)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN/GaN

В. В. Чалдышев, А. С. Большаков, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, М. А. Яговкина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (311 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Предложены, реализованы и исследованы оптические решетки экситонов в периодических системах квантовых ям InGaN с барьерами GaN. Вследствие коллективного взаимодействия квазидвумерных экситонов со светом и достаточно большой энергии связи экситонов в GaN нам удалось наблюдать существенное усиление брэгговского оптического отражения при комнатной температуре. Для увеличения резонансного оптического отклика системы нами был разработан и реализован новый дизайн структур с двумя квантовыми ямами в периодической сверхъячейке. Для структур с 60 периодами получено резонансное отражение величиной 40% при комнатной температуре.
Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 1, Pages 4–8
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615010042
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Чалдышев, А. С. Большаков, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, М. А. Яговкина, “Оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 6–10; Semiconductors, 49:1 (2015), 4–8
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ChaBolZav15}
\by В.~В.~Чалдышев, А.~С.~Большаков, Е.~Е.~Заварин, А.~В.~Сахаров, В.~В.~Лундин, А.~Ф.~Цацульников, М.~А.~Яговкина
\paper Оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN/GaN
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 6--10
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7174}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195056}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 1
\pages 4--8
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615010042}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7174
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i1/p6
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025