Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb

Методом МОС-гидридной эпитаксии при атмосферном давлении были изготовлены гетероструктуры, содержащие одиночные квантовые ямы GaAsSb/GaAs и двухслойные квантовые ямы GaAsSb/InGaAs. Температура выращивания квантово-размерных слоев составляла 560–570$^\circ$C. Структурное совершенство образцов и качество гетерограниц квантовых ям исследовались методом высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии на поперечном срезе. Излучающие свойства гетероструктур изучались посредством фотолюминесценции. Структуры подвергались термическому воздействию, условия которого были выбраны в соответствии с температурой и временем выращивания верхнего ограничивающего слоя InGaP $p$-типа в процессе формирования лазерных структур GaAs/InGaP с активной областью, содержащей квантово-размерные слои GaAsSb. Обнаружено, что подобное температурное воздействие значительным образом может влиять на излучательные свойства активной области только в случае формирования двухслойной квантовой ямы GaAsSb/InGaAs.